【IC风云榜候选企业13】领开半导体：以ATopFlash突破存储芯片技术壁垒
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】宁波领开半导体技术有限公司 （简称：领开半导体）
【候选奖项】年度技术突破奖
【候选产品】ATopFlash
在当前全球半导体产业持续升级与AI技术深入发展的时代背景下，存储芯片作为智能设备的核心组成部分，其技术突破与创新应用正成为推动产业进步的关键力量。在这一充满机遇与挑战的赛道中，宁波领开半导体技术有限公司自2020年3月成立以来，凭借其自主原创的ATopFlash©存储架构，以创新突破技术瓶颈，展现出中国半导体企业的研发与创新活力。
作为一家Fabless模式的半导体技术公司，领开半导体不仅专注于芯片设计，更致力于底层存储架构的创新。该公司总部位于宁波，在上海设有子公司，团队研发人员占比高达85%，展现出极强的技术攻坚实力。2025年，该公司分别入选“浙江省种子独角兽Top 100”“苏州工业园区科技领军人才创新创业项目”，并获评“国家级科技型中小企业”，创新潜力获得政府与行业的认可。
突破工艺壁垒，构建自主技术体系
领开半导体指出，当前，NOR Flash技术面临严峻挑战，独立式NOR Flash因工艺节点无法突破，性能提升陷入停滞；嵌入式NOR Flash在28nm以下先进制程中缺乏成熟方案，行业被迫依赖外挂存储过渡。尽管MRAM、RRAM等新型存储技术试图破局，但其在可靠性、面积及功耗等方面的短板仍难以满足市场需求。这一全球性技术瓶颈，正是领开半导体的突破机遇。ATopFlash©在完全兼容现有NOR Flash产品的同时，通过独创技术路径打破工艺限制，兼具高可靠性、高密度与低成本优势。
ATopFlash©是一项独立于工艺的非挥发性存储底层架构发明，其依托的物理原理即量子隧穿机制，该机制正是2025年诺贝尔物理学奖获奖成果的核心内容，领开半导体已将其推进至产品化阶段。目前，ATopFlash©已完成版权登记，并已获得17项中国发明专利授权，另有4项发明专利正在申请中。
作为领开半导体自主研发的基于创新组对架构的存储芯片解决方案总称，ATopFlash©涵盖了领开半导体未来所有基于新技术的NOR Flash系列产品，其通过“双轨”解决方案，为行业提供了突破性的发展路径。在嵌入式领域，攻克28nm以下工艺瓶颈，提供传统e-Flash完整解决方案；在外挂式领域，创新整合LPDDR-NOR封装与高速IO器件技术，成功突破了传统外挂NOR Flash在性能上的瓶颈。当前，蓬勃发展的AI市场对端侧存储芯片的高容量与高读取速度提出了苛刻要求，这正是现有厂商的痛点。ATopFlash©的“双轨”解决方案将有力满足这一需求，推动用户端AI应用的真正落地，为市场带来重大变革，加速进入AI时代下半场，赋能智能化生活的普及。
ATopFlash©技术在核心架构与制造工艺上的多重突破，展现出显著的性能优势与前瞻的微缩潜力：
-单元更小：ATopFlash©小于1T1b，省去了不利于微缩的高压NMOS选择管；
-光罩层数少：节省了一层common source line所需的金属光刻层；
-工艺简化：减少了选择管NMOS形成所需的光刻层及工艺步骤，工艺更统一简洁；
-读取电流高：读取电流提升>50%；
-可靠性提升：彻底避免了编程操作时潜在的SG漏电/可靠性问题。
此外，ATopFlash©产品支持≥10万次擦写寿命与长达20年的数据保存能力，具备低功耗、接口兼容性好等优势，广泛适用于工业、车载及各类嵌入式系统。
重塑市场格局，开辟国产替代新路径
ATopFlash©面向两大关键市场：一是规模达300亿元的独立式NOR Flash存量市场，依靠技术迭代，具有巨大成本优势；二是规模约25亿元的嵌入式Flash IP增量市场，突破28纳米以下全球嵌入式NOR Flash IP领域的技术空白。该技术完全兼容现有逻辑芯片工艺，可助力合作伙伴在40纳米、28纳米、22纳米等节点实现SoC/MCU量产，并为未来延伸至14/10/7/5纳米FinFET工艺奠定基础。
领开半导体指出，业界认为MRAM和RRAM等新兴存储器在特定场景下有望替代NOR Flash。特别是台积电和英飞凌自2010年起就合作开发RRAM技术，旨在解决传统嵌入式闪存（eFlash）在性能、功耗和成本上的局限。这进一步加深了“NOR闪存无法兼容28nm以下工艺”的共识，加速了业界对新型存储器的研究转向。然而，尽管从技术原理来看，新型存储器具备诸多技术和性能优势，但在技术成熟性和成本面前，ATopFlash©技术提供了新的选择。
MRAM受限于材料复杂度与抗磁干扰设计，成本居高不下；RRAM则在读写寿命与环境可靠性方面存在短板。而ATopFlash©沿用成熟的阈值电压控制模式，设计风险低，工艺光罩仅增加3层，在28纳米工艺下即可实现0.023μm²的单位面积，几乎等同于14nm下RRAM的实现的颗粒单位面积0.022μm2。
今年5月，领开半导体完成了首颗55纳米芯片的验证，并计划于2026~2027年实现40纳米全线产品的设计和生产。
此次，领开半导体凭借ATopFlash©的创新突破，竞逐"IC风云榜"年度技术突破奖。该奖项旨在表彰在集成电路领域实现重要技术创新的企业与团队。领开半导体表示，ATopFlash©技术将为广阔的嵌入式市场提供远超传统NORFlash的兼具高性能和极佳成本效益的通用代码存储解决方案。
在全球半导体竞争日趋激烈的今天，领开半导体以底层架构创新应对技术挑战，在构建起自身的“技术护城河”的同时，为中国存储芯片的自主发展注入了强劲动能。
【奖项申报入口】
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
基于国际产业竞争的使命和责任，我们需要一批优秀的专注于半导体产业的投资机构发挥重要引领作用，带领一众创新型企业披荆斩棘、加速国产替代。
“年度最佳投资机构奖”旨在表彰专注半导体并在本年度做出突出贡献、贡献了最多资本与技术、投向更多半导体新兴企业的头部机构。
【报名条件】
1、半导体领域投资项目占总投资项目的40%以上；
2、基金管理规模不低于10亿人民币；
3、成立时间≥3年。
【评选标准】
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模20%；
3、投资项目个数（年度）40%；
4、投资项目总金额（年度）20%；
5、行业影响力10%。